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倾佳电子i碳化硅取代业务推进有限公司

主营：SiC碳化硅MOSFET取代IGBT，碳化硅MOSFET...

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为什么碳化硅MOSFET会取代IGBT? 碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它们具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的开关速度、更低的导通电阻、更高的耐压和更高的结温，因此在高频、高压和高功率应用中具有优势。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊应用中仍具有

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联系人：杨茜（碳化硅功率器件业务总监）

电话：13266663313

手机：15013641390

官网： http://cn.ttfly.com/com/sic_igbt18/

地址：奥士达大厦

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杨茜

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