突破极限，定义未来：B3M013C120Z 国产SiC MOSFET分立器件引领功率革新

—— 基本半导体赋能高效能源时代的核心技术引擎

在“双碳”战略驱动下，功率半导体正经历从硅基到宽禁带的革命性跨越。基本半导体推出的 B3M013C120Z 碳化硅（SiC）MOSFET，以“技术迭代必然、高效设计必然、应用拓展必然”为内核，将材料优势转化为颠覆性的产品力，为下一代电力电子系统树立性能标杆。

倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。

一、技术迭代必然：基本半导体SiC单管B3M013C120Z银烧结工艺突破热管理天花板

核心突破：采用行业领先的 Silver Sintering（银烧结）技术，显著降低热阻：
结壳热阻 Rth(jc) 仅 0.20 K/W（TO-247-4封装）
导热效率提升 30%+，热密度承载能力跃升

价值兑现：

175℃ 高温下持续输出 125A（VGS=18V），功率密度提升 40%

突破传统封装散热瓶颈，支持 750W 超高功率耗散（TC=25℃）

器件寿命延长 50%，满足工业级可靠性要求（-55~175℃ 全温域运行）

二、高效设计必然：基本半导体SiC单管B3M013C120Z极低损耗重构系统能效边界

导通损耗革命：
13.5m 超低导通电阻（VGS=18V, ID=60A, Tj=25℃）
175℃ 高温下 RDS(on) 仅增至 24m，温漂系数优于硅基 3 倍

开关损耗颠覆：

1110μJ/580μJ 开关能量（Eon/Eoff 800V/60A/25℃）

22ns/42ns 开关延迟（td(on)/tr 175℃），支持 100kHz+ 高频应用

Coss 存储能量低至 86μJ，无尾电流特性减少 70% 开关损耗

三、应用拓展必然：基本半导体SiC单管B3M013C120Z全场景兼容释放系统潜能

多维度适配能力：
1200V/176A 高功率平台（TC=25℃）
集成 快速体二极管（trr=20ns 25℃, VSD=3.5V @175℃）
雪崩耐量提升 2 倍，抗短路能力增强

场景化赋能：

光伏逆变器：降低散热成本 30%，转换效率 >99.2%

EV 快充桩：支持 350kW 超充架构，体积缩减 40%

伺服驱动：开关频率翻倍，转矩波动降低 60%

数据中心电源：PSU 效率突破 80 Plus Titanium

四、TO-247-4 封装：基本半导体SiC单管B3M013C120Z兼容性与创新的完美平衡

四引脚优化布局：

Kelvin 源极独立引脚（Pin3）：消除栅极震荡，开关损耗再降 15%

背部 Drain 设计支持 双面散热，热管理灵活性倍增

即插即用升级：兼容传统 TO-247 安装，客户无需重新设计 PCB

数据印证必然：在 800V 母线/60A 工况下（Tj=175℃），B3M013C120Z 相比同类 IGBT：
系统损耗降低 52%
散热器体积减少 60%
功率密度提升 3.8 倍

结语：以“必然”之力，驱动能源变革
B3M013C120Z 不仅是技术参数的突破，更是基本半导体对功率进化路线的精准预判：

材料必然：SiC 击穿场强 10 倍于硅，奠定高压高频基因；

工艺必然：银烧结打通导热瓶颈，释放碳化硅本征潜力；

生态必然：TO-247-4 封装加速产业迁移，让创新无需妥协。

“当效率、功率密度、可靠性成为刚需，基本股份B3M013C120Z 即是必然之选。”
—— 倾佳电子功率器件事业部

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