使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET打造全碳汽车功率电力电子系统！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET升级传统汽车IGBT应用，实现更高的汽车功率电力电子系统效率，更小的汽车功率电力电子系统重量！更低的汽车功率电力电子系统组件成本！
随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET！
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求，至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
AB2M080120H基于第二代碳化硅MOSFET技术平台研发，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗，可支持更高开关频率运行等特点，可应用于车载OBC、车载DCDC及汽车空调压缩机领域。此次通过AEC-Q101认证，显示AB2M080120H碳化硅MOSFET器件在极端环境下具备优异性能，满足汽车行业高功率密度、高能效、高可靠性的需求。此外，国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™同步推出了1200V 80mΩ和40mΩ规格的车规级碳化硅MOSFET系列产品，封装覆盖TO-247-3、TO-247-4和TO-263-7，可满足汽车行业多样性的应用场景需求。
AEC-Q101认证是汽车电子委员会(Automotive Electronics Council)制定的车用分立半导体元件可靠性测试标准，在全球汽车产业都具有极高的权威性。AEC-Q101认证门槛高，测试项目覆盖广，对分立器件的设计质量、安全性、可靠性要求极为严苛，是分立半导体厂家进入汽车领域的重要通行证。
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™自2017年开始布局车规级碳化硅器件研发和制造，逐步建立起规范严谨的质量管理体系，将质量管理贯穿至设计、开发到客户服务的各业务过程中，保障产品与服务质量。公司分别在深圳、无锡投产车规级碳化硅芯片产线和汽车级碳化硅功率模块专用产线；自主研发的汽车级碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点，是国内第一批碳化硅模块量产上车的头部企业。
随着新能源汽车行业的快速发展，市场对高性能功率半导体的需求日益增长。国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™将继续加大研发投入，提高质量管理能力，优化产品性能，为汽车行业客户研发更多高性能的车规级碳化硅功率器件产品，全力助推碳中和愿景下的汽车产业电动化技术创新发展！
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。
未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。
倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™单管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT单管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一体机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一体机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器，热管理电动压缩机驱动器，射频电源，PET电力电子变压器，氢燃料空压机驱动，大功率工业电源，工商业储能变流器，变频器，变桨伺服驱动辅助电源，高频逆变焊机，高频伺服驱动，AI服务器电源，算力电源，数据中心电源，机房UPS等领域与客户战略合作，倾佳电子（Changer Tech）全力支持中国电力电子工业发展！
免费会员
邮箱认证
