为了提高补能效率,大功率快充成为各车企的研发重点。相较于400V架构,切换800V架构能够使充电时间减少一半。从400V增至 800V对连接器的可靠性、体积和电气性能提出了更高要求,其在机械性能、电气性能、环境性能三方面均将持续提升。升压后,高压连接器将重新选型,增加大功率快充接口及400V到800V的转化接口,带动高压连接器单车价值量上升。要构建800V高压平台,碳化硅功率器件是关键。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有出色的耐高压性能,并能有效提高系统的整体效率,达到5%至10%的增幅——即同等电池容量,配备碳化硅器件的汽车续航里程可提高5%到10%。此外,同等性能的碳化硅器件尺寸约为硅器件的1/10,因而它还能降低电驱系统的体积和重量,从而释放更多车辆内部空间。尽管 SiC MOSFET 本身成本较高,但会看到整个电机驱动器系统的价格下降(通过减少布线、无源元件、热管理等),并且与 Si IGBT 系统相比总体上可能更便宜。这种成本节省可能需要在两个应用系统之间进行复杂的设计和成本研究分析,但可能会提高效率并节省成本。